R5111 シリーズはボルテージレギュレータ(VR)、ボルテージディテクタ(VD)、ウォッチドッグタイマ(WDT)を1チップにした、高精度超低消費電流のCMOSシステム電源ICです。システムへの電源の供給、供給電源電圧の監視、システムの誤動作監視が1つのICで実現できます。
従来のWDTに加えてウィンドウタイプのWDTもラインナップしています。パッケージはHSOP-8E、HSOP-18、HQFN0808-28を採用しています。
仕様・データシート
産業 | 車載 | |
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入力電圧範囲 | 3.5 V ~ 36.0 V (50.0 V) | |
動作温度範囲 | -40°C ~ 105°C (125°C) | -40°C ~ 125°C (150°C) |
消費電流 | Typ. 25 µA | |
スタンバイ電流 | Typ. 0.2 µA | |
オープンウィンドウ時間 | Typ. 18 ms (CTW = 10 nF) | |
クローズドウィンドウ時間 | Typ. 18 ms (CTW = 10 nF) | |
パルス無視時間 | Typ. 18 ms (CTW = 10 nF) | |
監視時間 | Typ. 18 ms (CTW = 10 nF) | |
監視時間精度 | ±20% | |
リセット時間 | Typ. 9.5 ms (CTW = 10 nF) | |
パッケージ | HSOP-8E, HSOP-18, HQFN0808-28 | |
VD検出電圧範囲 | 1.6V ~ 5.5V | |
VD検出電圧精度 | ±1.8% | |
VD解除遅延時間 | Typ. 242 ms (CD = 0.22 µF) | |
LDO出力電圧範囲 | 1.8 V ~ 5.0 V | |
LDO出力電圧精度 | ±1.5% | |
LDO短絡電流制限 | Typ. 110 mA | |
LDO出力電流制限 | Min. 300 mA | |
LDOサーマルシャットダウン | Typ.165°C | |
VD解除遅延時間精度 | ±20% |
技術資料
品質・パッケージ
製品名 | 対応 | パッケージ情報 | マーキング情報 | 信頼性データ |
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R5111Sxx1x-E2-YE |
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HSOP-8E | R5111Sxx1 | R5111Sxx1-YE |
R5111Sxx2x-E2-YE |
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HSOP-18 | R5111Sxx2 | R5111Sxx2-YE |
R5111Lxx2x-TR-YE |
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HQFN0808-28 | R5111L | R5111L-YE |
R5111Sxx1x-E2-KE |
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HSOP-8E | R5111Sxx1 | R5111Sxx1-KE |
R5111Sxx1x-E2-AE |
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HSOP-8E | R5111Sxx1 | R5111Sxx1-AE |
R5111Sxx2x-E2-KE |
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HSOP-18 | R5111Sxx2 | R5111Sxx2-KE |
R5111Sxx2x-E2-AE |
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HSOP-18 | R5111Sxx2 | R5111Sxx2-AE |
R5111Lxx2x-TR-KE |
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HQFN0808-28 | R5111L | R5111L-KE |
R5111Lxx2x-TR-AE |
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HQFN0808-28 | R5111L | R5111L-AE |
・製品詳細はデータシートをご参照ください
・パッケージ外形図、テーピング仕様、テーピングリール外形図、許容損失、基板パット推奨寸法 (ランドパターン)、などは各パッケージをご参照ください
・公開されていない信頼性情報については、販売店または当社までお問い合わせください
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